?　基于AlGaN的UV?LED由于存在較低的內(nèi)部量子效率、低擷取效率、低摻雜效率、極化電場大以及差排密度外延高等缺點，限制了UV LED的高功率應用。

　　沙特阿拉伯阿布杜拉國王科技大學（King Abdullah University of Science and Technology；KAUST）的研究人員在最近一期的《光學快遞》（Optics Express）期刊中發(fā)表一種設計紫外光發(fā)光二極管（UV LED）的新途徑，能讓基于氮化鋁鎵（AlGaN）的UV LED效率不至于衰減。

　　一般來說，基于AlGaN的UV LED由于存在較低的內(nèi)部量子效率、低擷取效率、低摻雜效率、極化電場大以及差排密度外延高等缺點，這些都限制了UV LED在高功率的應用。

　　在鈦／硅基板上生長的3D奈米線UV LED示意圖

　　研究人員一開始采用鈦覆蓋的硅晶圓以及依靠電漿輔助的分子束外延（PAMBE），使其得以生長有效隔離的無缺陷硅摻雜氮化鎵（GaN）奈米線，其中每一個都嵌入10個均勻形成AlGaN／AlGaN量子磁盤（Qdisk）的堆棧。

　　雖然每一發(fā)射奈米線的直徑約8nm、長約350nm，但在實際的實驗中，肉眼可見的大型LED是由一整區(qū)密集堆積的垂直排列奈米線（以大約9x109 cm＾?2的密度）所組成。

　　奈米線的結(jié)構(gòu)性特征：

　　（a） 橫截面SEM圖顯示垂直排列的奈米線 （b） 在Ti ／ Si基底上生長的組件俯視圖顯示緊密堆積的奈米線 （c） 顯示n型AlGaN層、AlGaN／AlGaN QDisk、p型AlGaN和p－GaN層的AlGaN奈米線高角度環(huán)形暗場影像（HAADF－STEM） （d） 主動區(qū)顯示10對均勻的Qdisks形成 （e） Qdisk的放大影像顯示不同的Qdisk組成變化。

　　該組件在鈦涂覆的n型硅基板上生長，以改善電流注入與熱耗散，它們在337nm （具有11．7nm的窄線寬）時發(fā)射UV光源，其電流密度為32A ／ cm＾2 （在0．5×10 ．5mm＾2組件上約80mA），導通電壓約為5．5V。

　　在高達120A／cm＾2的注入電流下，AlGaN奈米線UV LED仍能保持效率毫無衰減地作業(yè)。

　　該研究的一項有趣之處在于采用鈦涂覆的低成本硅基板來生長奈米線，這不僅能讓制程變得易于擴展，還能結(jié)合鈦金屬層帶來的諸多優(yōu)勢，包括更高的UV反射、更好的熱耗散，以及改善流注入。